【摘 要】
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本文报道了利用射频磁控溅射方法存室温下制备了氧化锌薄膜晶体管的实验结果.x光衍射谱(XRD)表明所制备的氧化锌薄膜有很好的c轴择优取向.对氧化锌薄膜晶体管的转移特性及输出特性等电学特性进行了测试分析.结果表明,氢气氛退火可以提高氧化锌薄膜晶体管的沟道迁移率,改善了氧化锌薄膜晶体管的性能.
【机 构】
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北京大学微电子学研究所,北京 100871
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本文报道了利用射频磁控溅射方法存室温下制备了氧化锌薄膜晶体管的实验结果.x光衍射谱(XRD)表明所制备的氧化锌薄膜有很好的c轴择优取向.对氧化锌薄膜晶体管的转移特性及输出特性等电学特性进行了测试分析.结果表明,氢气氛退火可以提高氧化锌薄膜晶体管的沟道迁移率,改善了氧化锌薄膜晶体管的性能.
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