表面是固体材料特殊和关键的组成部分,众多化学反应和物理过程都发生在材料的表面上,表面的结构直接决定了固体材料的许多重要的化学和物理性质。表面化学家在单晶固体表面的物理化学行为和性质等方面取得了许多引人瞩目的成果,但若要深入探讨实际复杂体系中固体表面的结构与性能关系等基本物理化学问题,需要表面结构明确的微纳米晶体。因此,如何控制微纳米晶体的表面结构成为当今纳米材料制备的研究热点之一。尽管该领域的研究已有多年,人们也已经对微纳米晶体的形貌和表面结构控制提出了各种各样的策略和理论,但大部分策略都只针对少数体系。现在预测和设计合成特定表面结构的微纳米晶体依然十分困难,缺少一种普适的调控裸露晶面的方法。我们以热力学定律为基础,从理论的源头推导出裸露晶面的表面能与晶体生长过程的过饱和度成正比(Thomson-Gibbs方程)：)：△G=μldnl+μcdnc+δdS=0 △=μ1-μc=2δv/h以此理论为指导设计了离子晶体、分子晶体、金属晶体(Au,Pd)的微纳米晶体生长实验,制备出了一系列具有不同表面能晶面裸露的微纳米晶体,所有实验结果均与预期吻合。该机理还解释大部分已报道的微纳米表面结构控制的实验,如我们采用表面活性剂CTAC替代CTAB制备出了高指数{221}晶面的Au纳米晶体等。我们还研究了没有任何模板剂和表面结构调控剂的条件下,过饱和度对部分金属氧化物微纳米晶体的表面结构的影响。研究结果表明了晶体生长过程的过饱和度的控制是调控微纳米晶体表面结构的重要普适性的手段。