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利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量证明了InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度高于400 K.
Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质研究
【摘 要】
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利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量证明了InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度高于400 K.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083 中国科技大学,物理系,安徽合肥,
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2006年11期
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