【摘 要】
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VCSEL作为一种特殊的半导体激光器，其反射镜主要由上下两组A1xGaAs/AIyGaAs材料的布拉格反射器((DBR)构成，增益介质则由夹在DBR中间的半导体量子阱有源区构成，三者构成了电流注
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,发光学及应用国家重点实验室,长春 130033
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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VCSEL作为一种特殊的半导体激光器，其反射镜主要由上下两组A1xGaAs/AIyGaAs材料的布拉格反射器((DBR)构成，增益介质则由夹在DBR中间的半导体量子阱有源区构成，三者构成了电流注入发光的P-I-N结构。干法刻蚀形成的台面直径尺寸22-26μm，高度5μm左右。通过专用的湿法侧氧化工艺工艺，可以将有源区电流注入区域直径限制在1-5μm，从而大幅降低器件阐值电流和功耗。同时，采用新型有源区材料结构和增益-腔模失配方法设计并实现了高温工作795nmVCSEL器件，器件108℃下闽值电流仅为0.6mA，在1mA注入下获得钩原子对应的794.7nm输出。
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