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本文利用ICP硅深层刻蚀工艺,制备了一种全新的LIGA掩模板.与一般的LIGA掩模板比较,该掩模板的最大特色在于其支撑层和吸收层都是由硅材料构成,支撑层与吸收层之间没有结合力问题和热膨胀系数匹配问题.该X光掩模板还具有工艺简单、价格低廉等优点.理论分析表明,该掩模板在中长波长区域可以很好地满足同步辐射曝光的要求.利用该掩模板在北京同步辐射光源进行光刻,并进一步进行微电铸,均得到了比较理想的结果.