【摘 要】
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本文对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究,采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来形成BE金属自对准工艺,最终制作出的器件单管阈值电压平均为1.15V,电波增益为50,发射极面积4um×14um的单管在集电极电流密度J=2×10A/cm条件下截至频率达到了40GHz.我们设计并制作了两种单片集成跨阻放大器电路,测量得到的跨阻增益在工作频率2.5GHz时
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究,采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来形成BE金属自对准工艺,最终制作出的器件单管阈值电压平均为1.15V,电波增益为50,发射极面积4um×14um的单管在集电极电流密度J<,C>=2×10<4>A/cm<2>条件下截至频率达到了40GHz.我们设计并制作了两种单片集成跨阻放大器电路,测量得到的跨阻增益在工作频率2.5GHz时分别为50.6dBΩ,3dB带宽分别为2.7GHz和2.5GHz,最小噪声系数分别为2.8dB和3.2dB.
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