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材料的纯度直接影响了化合物半导体外延材料的物理性质,进而影响器件的质量.通常情况下,本征材料的常温和低温霍耳迁移率反应了外延层的杂质含量.公司通过生长GaAs单晶外延层,测试其霍耳迁移率,从而反映出外延层中杂质类型和含量,达到考核金属有机物源中杂质质量的目的.
高纯GaAs外延材料生长
【摘 要】
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材料的纯度直接影响了化合物半导体外延材料的物理性质,进而影响器件的质量.通常情况下,本征材料的常温和低温霍耳迁移率反应了外延层的杂质含量.公司通过生长GaAs单晶外延层
【机 构】
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江苏南大光电材料股份有限公司(苏州)
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2003年期
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