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在GaN衬底上制作了MIM型BST薄膜压控电容.测试表明，该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性；在5GHz处，当外加电压15V时，电容获得30％调谐(367～530fF).同批次制作的GaN HEMT性能测试表明，该电容的制作工艺与标准GaN MMIC工艺完全兼容.
面向MMIC的BST片上压控电容
【摘 要】
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在GaN衬底上制作了MIM型BST薄膜压控电容.测试表明，该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性；在5GHz处，当外加电压15V时，电容获得30％调谐(367～530fF).同批次制作的Ga
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京 210016
【出 处】
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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会
【发表日期】
：
2012年期
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