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由于室温稀磁半导体(RT-MDS)材料在自旋电子学器件应用中有重要的应用前景,近年来已经成为一个材料科学的研究热点。在化合物半导体的理论预测和实验合成方面的大量研究工作表明过渡元素掺杂的化合物半导体材料有很好的前景,如Mn、Co掺杂的ZnO、GaN。研究发现居里温度随着带宽的增加而升高。在本工作中,我们用第一性原理计算的方法研究一种具有较宽带宽ZnS经过过渡元素掺杂之后的磁学性质,寻找具有室温稀磁半导体材料。