ZnO:Ga相关论文
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在p-GaN 薄膜表面制备了结晶质量较高的n-ZnO：Ga薄膜，然后分别在p-GaN 和n-ZnO：Ga薄膜表面制备了Ni/Pt 及T......
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化......
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响......
In this paper,properties on pulsed radiation detections of ZnO:Ga crystal grew by a magnetron sputtering method were stu......
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通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO（ZnO：Ga）透明导电薄膜，研究了氧分压对ZnO：Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响．X射......
对ZnO：Ga晶体进行质子辐照实验研究,得到对脉冲质子的响应波形和发光强度随质子能量的变化关系,并对实验现象和结果进行了分析。结......
通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学......
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化......
采用水热法于36#水热反应釜中在四种条件下制备了ZnO：Ga晶体,对比了四种参数条件下晶体的生长速度及生长质量,深入分析了过快生长速......
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜......
氧化锌（ZnO）作为一种宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,通过掺入Ga、Al等ⅢA族元素能在很大程度的提升薄膜的导电性能。ZnO透明导电薄......
ZnO作为一种新型的宽带隙半导体材料,在近年来受到越来越大的关注。ZnO具有良好的物理性质:直接带隙能带结构、室温禁带宽度3.37eV......
