【摘 要】
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从微观角度上来说,杂质在硅材料内的扩散即是原子的布朗运动。杂质的扩散能力可用扩散系数来表示，不同物质的扩散系数不同，同一物质在不同温度下的扩散系数也不同。杂质在扩散
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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从微观角度上来说,杂质在硅材料内的扩散即是原子的布朗运动。杂质的扩散能力可用扩散系数来表示，不同物质的扩散系数不同，同一物质在不同温度下的扩散系数也不同。杂质在扩散过程中若半导体表面外的杂质浓度始终保持不变，称为恒定表面源扩散;若杂质在扩散过程中没有外来杂质补充,仅限于扩散前积累在半导体表面无限薄层内的杂质总量，这种扩散称为限定表面源扩散。研究表明，随着时间的增长，杂质的浓度越来越低，说明杂质从表面处向材料内部扩散;随着时间的增长，杂质进入硅片的深度越来越深；曲线下的面积表示杂质的总量，曲线下面积相等，杂质总量不变。
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