【摘 要】
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由于LDMOS器件制作工艺和性能的不断提升,LDMOS功率管已成为硅微波功率晶体管的主流。报道了采用亚微米多晶硅栅技术研制成功的P波段LDMOSFET的主要设计和工艺,通过减小寄生
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051
【出 处】
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2010年全国半导体器件技术研讨会
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由于LDMOS器件制作工艺和性能的不断提升,LDMOS功率管已成为硅微波功率晶体管的主流。报道了采用亚微米多晶硅栅技术研制成功的P波段LDMOSFET的主要设计和工艺,通过减小寄生电容和电阻,改善了器件频率性能;通过LDD区场板优化,阻止热载流子效应引起的性能退化。设计研制成功了高性能P波段LDMOSFET,在480-610 MHz频率带宽内,输出功率大于350 W,功率增益大于17 dB,漏极效率大于50％,呈现出良好RF性能。
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