【摘 要】
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本文旨在优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n 型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i a-Si:H 薄膜工艺,得到更好的钝化效果.实验研究了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄
【机 构】
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南昌大学太阳能光伏学院&材料科学与工程学院,江西 南昌 330031
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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本文旨在优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n 型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i a-Si:H 薄膜工艺,得到更好的钝化效果.实验研究了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响.通过优化参数,钝化后在太阳能级n 型Cz 硅片(40*40mm)上用WT-2000PV(微波反射光电导衰减法(WMPCD))测试得到的硅片平均少子寿命值在800us 以上,局部在1500us 以上,得到了钝化后平均表面复合速率S<9.4cm/s 的优良钝化效果;若硅片的体少子寿命为2ms,则S<5.6cm/s.
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