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未知的原子核质量的预言
【机 构】
:
上海交通大学
【出 处】
:
中国物理学会2011年秋季学术会议
【发表日期】
:
2011年9期
其他文献
电子束蒸发在InN/sapphire 上沉积了Cu 薄膜,使用热氧化法制备了单晶Cu2O 薄膜.相比于Cu2O/GaN,由于Cu2O 和InN 之间发生了30°的面内旋转减小了晶格失配,在InN 上生长的Cu2O
会议
The luminescence mechanisms has been investigated for the n-type GaN thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) technique on sapphire su