钛酸锶是一种具有压敏性和电容性双功能的材料,它具有利于低压化,静电容大,对低于标称电压的杂波有抑制作用,而且在吸收陡脉冲时不会出现过渡特性上冲等优点,同时非常有利于电子元
对富勒烯(C60)进行功能化后,通过组装方法获得比表面积大、性质稳定、利于纳米金属颗粒均匀分散的基底材料,以此制备导电性能高、电化学活性面积大的修饰电极,并应用于直接甲醇燃
为了满足下一代特高压直流输电(UHVDC)换流器对超高电压电力半导体器件的需求,本文结合了仿真和理论分析,研究设计了一个超高电压(30kV)宽禁带碳化硅(SiC)晶闸管,并研究了其
目的:了解玉林市女职工妇女病现状,明确今后的工作重点。方法:2007年对玉林城区33个企事业单位2 103例女职工进行常规妇科检查、宫颈刮片、乳腺检查。结果:本次普查玉林市城
近年来,由酮类化合物不对称还原为醇类化合物成为有机合成化学的前沿领域,发展迅速,并取得了许多成就。其中碱金属与不同溶剂构成的体系,可使多种有机官能团得以还原。碱金属具有反应温度易于控制,反应条件比较温和,反应产物收率较高等优点,成为有机还原反应中的重要试剂。本课题利用樟脑还原中间产物的分子热力学稳定性的差异,在碱金属钠/无水乙醇体系中将天然脑粉中的樟脑不对称还原为龙脑,实验表明,利用这种方法还原樟
本文针对传统直接覆铜陶瓷板(DBC)铝线键合的半导体封装模块线路杂散电感大的缺点,提出一种新型的基于DBC 与PCB 的具有多层结构的混合型低感碳化硅(SiC)半桥封装集成模
为准确的描述SiC MOSFET 的静态特性和动态特性,本文提出了一种新型的SiC MOSFET 的PSpice 仿真模型。该模型由一个理想的MOSFET,加上外围电路元件组成。为获得SiC MOSFE
GaN HEMT 具有电子迁移率高、耐高温高压和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。针对耗尽型GaN HEMT 器件的负电压关断特性,结合其应用于开关变换器
与传统Si-IGBT 相比,SiC-MOSFET 具有更高开关速度和更高结温,有利于减小PMSM 电机驱动器的开关损耗、缩短死区时间和提高开关频率。先针对1kW 永磁同步电机,分别对SiC-M
本文提出了一种新型的混合储能拓扑,使用蓄电池和超级电容作为储能元件。该拓扑具有模块化多电平储能拓扑的优点,但其成本相对较低。此外,针对SOC 均衡问题,本文提出了一种基