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亚微米尺寸金属电极在HEMT等半导体电子学器件中有重要的应用,是器件制作中的关键工艺，对器件性能有着重要影响.本文针对HEMT等半导体器件制备需求,开发了双层光刻胶电子束曝光工艺，制备出了长度为亚微米量级的金属电极，这为制备高性能半导体电子学器件打下了坚实基础。
亚微米尺寸金属电极的制备工艺研究
【摘 要】
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亚微米尺寸金属电极在HEMT等半导体电子学器件中有重要的应用,是器件制作中的关键工艺，对器件性能有着重要影响.本文针对HEMT等半导体器件制备需求,开发了双层光刻胶电子束曝
【机 构】
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中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳 621900
【出 处】
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第二届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会
【发表日期】
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2014年期
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