高掺镁LiNbO晶体抗光折变性能研究

来源 :第五届中国功能材料及其学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:easy69
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在LiNbO<,3>中掺进MgO以提拉法生长Mg(1mol﹪):LN,Mg(3mol﹪):LN,Mg(5mol﹪):LN,Mg(7mol﹪):LN,和Mg(9mol﹪):LN晶体.改进晶体生长工艺条件,解决了在生长中出现的脱溶,散射颗粒,生长条纹等缺陷.生长出高质量高掺镁LiNbO<,3>晶体.测试Mg:LiNbO<,3>晶体的红外光谱,当Mg<2+>的浓度达到或超过阈值浓度的Mg:LiNbO<,3>晶体,OH-吸收峰移到3535cm<-1>,晶体抗光损伤能力比LiNbO<,3>晶体提高两个数量级以上.测试Mg:LiNbO<,3>晶体的倍频性能(相位匹配温度,倍频转换效率)Mg:LiNbO<,3>晶体的相位匹配温度随Mg<2+>浓度的增加而改变,Mg(5mol﹪):LN,晶体的相位匹配温度达到116℃,Mg(9mol﹪):LN晶体在室温附近.
其他文献
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采用大功率CO激光辐照制备高介电常数TaO陶瓷,讨论了激光制备工艺参数如激光光束模式、功率密度、扫描速率、辐照时间、辐照方式等对制备材料介电性能和组织形貌的影响,分析了其作用机理.
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