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本文采用了磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al透明导电薄膜.通过改变氧气和氩气的比例得到了性能不同的薄膜,用X射线衍射仪,紫外可见分光光度计,四探针电阻仪对ZnO∶Al透明导电薄膜进行表征.结果发现:在衬底温度为400℃,沉积时间为30min,氧气和氩气的比为5∶100的条件下,薄膜的透过率大于80%,方块电阻有最低值为80Ω/口.