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我们自行设计加工了ZnO生长专用MOCVD系统，该系统直接采用O2气为氧源，不引入其他元素，有利于n型、p型掺杂和载流子浓度的控制。为了克服DEZn预反应问题，该系统反应室安装了两个特殊设计的源喷枪。同时为了解决ZnO材料p型掺杂问题，该MOCVD设备添加了射频等离子体增强系统。设备还添加了光照系统，光照可以提高源的分解效率，有助于金属有机物中的烷基脱去，同时可能激活受主杂质，解决p型ZnO见光退化不稳定问题。利用该MOCVD系统我们在Si、GaAs、Al2O3、GaF2等衬底上生长制备了高质量ZnO薄膜。