【摘 要】
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以二次阳极氧化的多孔氧化铝薄膜为模板,一种以溶胶凝胶的方法,先将氧化锡溶胶灌入模板微孔中,在600℃烧结10h得到有序的SnO纳米线阵列;另一种,用电化学沉积的方法,先在模板
【机 构】
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中科院合肥智能机械研究所中国科学院研究生院(合肥)
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以二次阳极氧化的多孔氧化铝薄膜为模板,一种以溶胶凝胶的方法,先将氧化锡溶胶灌入模板微孔中,在600℃烧结10h得到有序的SnO<,2>纳米线阵列;另一种,用电化学沉积的方法,先在模板微孔中沉积金属锡,然后在600℃高温下氧化10h得SnO<,2>纳米线阵列.分别采用XRD、SEM和TEM等分析手段对这两种样品进行了表征,结果表明,两种方法均可以制备大面积SnO<,2>纳米线阵列.单根纳米线晶型都为四方相多晶结构,均匀,连续,长径比高;不同的是溶胶凝胶方法制备的纳米线粗糙,而电化学沉积方法制备的纳米线光滑,这源于它们不同的生长机理.
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