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该文介绍一种分析ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件特性及热载流子效应的数值模型。该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起，可准确地模拟ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件的特性并给出清晰的内部物理图象。该文讨论了热功流子效应产生的栅电流并给出了部分结果。
SOI MOSFET栅电流的模拟
【摘 要】
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该文介绍一种分析ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件特性及热载流子效应的数值模型。该模型直接将端点电流、端点电压与内部载流子的输运过程联系在一起，可准确地模拟ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件的特性并给出清晰的内部物理图
【机 构】
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大学微电子学研究所(北京)
【出 处】
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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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1997年期
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