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该文利用高分辨电镜对Si〈,3〉N〈,4〉/SiC纳米复合陶瓷的界面结构进行了研究,β-SiC纳米晶粒不仅弥散分布于基体晶粒β-Si〈,3〉N〈,4〉内,同时也存在于晶界上。晶内的Si〈,3〉N〈,4〉/SiC界面结构可分为三种:一,界面相完全由非晶组成,非晶层厚度约为1nm;二,界面部分直接结合,部分为非晶;三,直接结合,且没有固定的晶体学取向关系。这三种类型的界面结构被观察到的几率基本相等。多数晶间的SiC与基体相是直接结合的。研究结果还表明SiC颗粒弥散到基体中是由基体相的晶界迁移而成。