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本文深入研究了一种非CMP的平坦化方法,它的主要过程包括BPSG热回流,两次旋涂光刻胶以及速率差干法回蚀等步骤.这种方法将热回流技术与旋涂膜层技术结合起来,具有良好的平坦化效果.利用这项技术,我们成功地制备出性能良好的栅长为95nm金属栅CMOS器件.测试结果进一步表明该方法具有良好的发展潜力,可以用在深亚微米金属栅CMOS器件的研究与制备中去.