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针对高阻隔包装的不断发展、对新技术要求的不断增加，以及人们对保护环境、节约能源、建立和谐社会更深入的认识，我们采用无任何污染的等离子体技术，进行SiOx 薄膜的沉积及其在高阻隔包装中的应用研究。具体为：（1）电子束蒸发氧化硅；（2）离子源辅助电子束蒸发氧化硅；（3）磁控溅射沉积氧化硅；（4）离子源辅助磁控溅射沉积氧化硅；（5）等离子体化学气相沉积SiOx 等，并对所沉积的薄膜进行结构性能的比较研究。