在立方MgO衬底上外延生长高质量的六方AlN薄膜

来源 :第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yuantxunda
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本文优化设计了一种高频高饱和输出的单行载流子光电探测器(UTC-PD)。引入线性掺杂吸收区和窄InP崖层从而获得高频高饱和探测器。利用微电子工艺制备器件,并对其暗电流、光响应、接触电阻、低频电容和带宽进行了测试分析。结果显示,直径为15μm的探测器,在1V反偏电压下的暗电流为3.5nA。器件在1.55μm的入射光下的响应度为0.3A/W,零偏压下的饱和光强为135mW。3dB带宽为15GHz。
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