四波长DFB激光器阵列合波输出集成芯片

来源 :第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yangyuxxxx
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  采用对接耦合外延、变脊宽加全息曝光技术,设计制作了四波长分布反馈激光器阵列与多模干涉耦合器(MMI)合波输出集成芯片。阵列器件的出射波长处于1550nm波段,阈值电流小于35mA,边模抑制比大于33dB,出光功率大于1.4mW。这是作者研制光子集成电路(PIC)芯片的初步尝试。
其他文献
采用双能态离子注入法向MOCVD生长的n-型。p-型和非有意掺杂的GaN薄膜中注入了稀土元素Yb,并对样品进行了900℃的快速热退火处理。研究了样品的结构和磁学性质,在X射线衍射的检测极限范围内未发现样品中有第二相出现,拉曼散射结果表明离子注入引入的晶格缺陷不能通过快速热退火完全消除。GaN:Yb样品退火后都表现出室温铁磁性,p-型掺杂有助于增强其铁磁性能。
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品2DEG的电子迁移率达
本文通过结合透射电子显微镜,高分辨率X射线衍射仪和原子力显微镜等表征检测手段,对于在蓝宝石衬底上,采用高温AlN成核层MOCVD异质外延生长的N极性和Ga极性GaN进行了对比研究。发现,Ga极性材料中的穿透位错随着厚度的增加有明显的弯折,合并成环和湮灭现象,而N极性材料中,大部分穿透位错并没有明显地随着外延层厚度的增加而产生合并,弯折和湮灭,而是向上延伸。并且,N极性材料的AIN成核层与GaN外延
利用高温管式炉,Pt作为催化剂,金属Ga和氮气直接反应得到了不同形貌的GaN纳米结构。通过研究不同温度和不同氨气压强下GaN纳米结构的形貌,提出其中的纳米线是典型的顶部气-液-固(vLS)生长,而其他纳米结构是在已经成核的GaN晶粒上自催化(SCG)的气-固(VS)生长的结果。GaN纳米纳米锥串则是vLS生长的纳米线侧向VS生长的结果。Pt对GaN纳米线和早期的GaN成核是必需的,但对后期纳米线以
本文深入分析了高电子迁移率InN的外延生长,采用边界温度外延的方法实现了高迁移率lnN薄膜,室温下电子迁移率超过3000 cm2/Vs,InN的背景电子浓度低至1.4×1017 cm-3。分析了杂质和缺陷对InN电子迁移率和背景电子浓度的影响,确定了降低背景电子浓度的有效途径。研究了InN的p型掺杂,利用多种方法证明了InN的p型电导。
随着新一代电力电子系统对电力电子器件提出了越来越高的要求,基于GaN材料的新型电力电子器件逐渐成为当前世界上的研究热点。本文对GaN基新型电力电子器件的研究意义和现状进行了评述,同时还介绍了几年来在该领域所取得的一些成果,包括基于AlGaN/GaN异质结的电力电子材料设计与生长、器件设计以及工艺研究,这些成果也为中国在该领域进一步研制高性能新型GaN电力电子器件打下了一定基础。
已经生长出质量极高的二类超晶格红外探测材料,并研制成功中波、长波、甚长波及窄带双色红外探测器器件。X射线双晶衍射表明中波、长波及甚长波p-i-n型器件结构的X射线双晶衍射卫星峰半宽分别为20、17和21弧秒。中波器件在77K温度下的50%截止波长为4.8微米,相应最大值4.2微米处探测率为2.4×1011 cm.H205/W;长波器件在77K温度下的50%截止波长为9.6微米,峰值响应率为3.2
本文报道了一种可用于长距离光纤通信的平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。对于30微米直径的器件,其暗电流在穿通电压处可低至0.032nA,在90%击穿电压下暗电流仅0.16nA.未生长抗反膜的器件对1.55微米的光的初始响应度(增益为1时)可达0.65A/W。器件设计倍增层厚度低于300nm,通过刻蚀圆坑与单浮动扩散保护环相结合的方法抑制边
本文采用硫化铵化学处理的方法对InN表面高密度的累积层进行调控。由霍尔测试结果表明,硫化处理后,InN薄层电导发生改变,并结合层状模型,提取表层和体层的电子输运特性,发现不同极性的InN表面电荷累积层的载流子浓度均有所降低而体层几乎不变,且N极性表面比In极性表面下降的程度更大。XPS表明,由于不同极性的InN表面施主态的分布不同,因此表面费米能级钉扎的位置不同,硫化处理过程中,S可以对InN表面
本文报道了一种GaAs基顶部入射的异变谐振腔增强型(RCE)1.55μm InGaAs部分耗尽吸收探测器(PDA-PD)。器件的外延结构由分子柬外延系统(MBE)生长。底镜和顶镜分别是由20对AlAs/GaAs分布布拉格反射器(DBR)和两对Ta2Os/SiO2 DBR组成,腔内InGaAs和GaAs之间的失配应变由线性缓变的IrxAl0.4Ga0.6-xAs缓变层调节(In组分由0.02线性变化