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在信息科技产业领域,微电子产品的多功能化、高性能化及轻薄化发展大大推动了超高密度和超大规模集成电路关键技术及材料的发展.为了解决高密度集成所带来的信号延迟和功率损耗等问题,新一代高性能低介电(ε＜3.0)甚至超低介电(ε＜2.2)材料的开发成为这一领域最重要的研究方向之一.聚酰亚胺作为重要的绝缘封装材料广泛应用于航天航空和微电子信息领域，然而，其介电常数3.5左右。因此，如何在保持其高性能化的同时有效降低聚酰亚胺的介电常数和介电损耗成为具有重要基础和实际意义的研究课题。本报告主要介绍本课题在该领域的研究进展。所采用的研究策略主要是通过利用刚性、非平面、非对称、大共扼结构单元，如三苯胺、三苯乙烯、四苯乙烯、药等结构，从分子水平上对聚合物化学结构和自由体积进行调控，构筑一系列高性能本征型超低介电常数聚酰亚胺薄膜。