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Ca3B(AlxGa1-x)3Si2O14(B=Ta,Nb)晶体生长习性研究

来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Windows365666151

【摘 要】

：

　　本文通过用Ga3+离子取代Ca3TaAl3Si2O14(CTAS)[1] 和Ca3NbAl3Si2O14(CNAS)[2]晶体中部分Al3+离子以改善晶体的结晶性，并仍保持着较低廉的原料成本.本实验采用熔体提拉法生

【作 者】

：

熊开南 郑燕青 涂小牛 施尔畏 

【机 构】

：

中国科学院上海硅酸盐研究所

【出 处】

：

第17届全国晶体生长与材料学术会议

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

晶体 提拉法生长 原料成本 生长习性 离子取代 结晶性 中部 物相 

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　　本文通过用Ga3+离子取代Ca3TaAl3Si2O14(CTAS)[1] 和Ca3NbAl3Si2O14(CNAS)[2]晶体中部分Al3+离子以改善晶体的结晶性，并仍保持着较低廉的原料成本.本实验采用熔体提拉法生长出了Ca3Ta(Al0.9Ga0.1)3Si2O14(CTA0.9G0.1S)、Ca3Ta(Al0.5Ga0.5)3Si2O14(CTA0.5G0.5S)和Ca3Nb(Al0.5Ga0.5)3Si2O14(CNA0.5G0.5S)三种晶体，并对这三种晶体的物相和生长习性进行了分析.

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