【摘 要】
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利用一个两轨道模型,并计入同格点及最近邻格点轨道内吸引作用V0和V1,我们研究了基于BiS2的超导体的配对对称性.在做平均场近似和求解自洽方程后,得到了配对对称性的相图.根据V0和V1的取值,该模型中会出现三种可能的配对对称性.它们分别是:各向同性的s波[△k=△s];各向异性的s波[△k=△s+△xs/2(coskx+cosky)];以及d波[△k=△d/2(coskx-cosky)].进一步地
【机 构】
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南京师范大学 物理科学与技术学院,南京 210023
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利用一个两轨道模型,并计入同格点及最近邻格点轨道内吸引作用V0和V1,我们研究了基于BiS2的超导体的配对对称性.在做平均场近似和求解自洽方程后,得到了配对对称性的相图.根据V0和V1的取值,该模型中会出现三种可能的配对对称性.它们分别是:各向同性的s波[△k=△s];各向异性的s波[△k=△s+△xs/2(coskx+cosky)];以及d波[△k=△d/2(coskx-cosky)].进一步地,我们指出,态密度对于这三种不同的对称性显现出不同的行为,因此可被用来区分出这三种配对对称性.
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我们实验发现,GaN基激光器在阈值处的电学特性不同于传统教科书的描述,表现出与GaAs基激光器迥异的特性.就此进行了深入细致的理论和实验研究,以期揭示其物理本质,丰富对于半导体激光激射的理论认识.研究发现这一反常特性是与受激辐射密切相关.
窄线宽1550nm激光器是激光通信、激光探测、激光测量等应用的核心元件,结构紧凑的窄线宽激光器大多采用半导体增益芯片作为增益区,再结合光栅外腔、集成光栅、耦合波导等线宽压缩元件来实现.单模和高功率输出是增益芯片的基本要求,GaAs基单横模激光器功率可以高达1.3W[1],但1550nm波段器件即使优化了波导结构也只能达到0.8W[2],这是源于InP体系材料吸收和载流子泄露等造成的.
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