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本文介绍了高压大电流晶体管电路外延片制备的主要技术关键,及控制杂质浓度分布、晶格结构完整性、电参数及厚度均匀性、重复性等工艺流程.它所提供的外延片已成功地应用于3、4英寸电路的生产中.
多层硅外延生长技术研究
【摘 要】
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本文介绍了高压大电流晶体管电路外延片制备的主要技术关键,及控制杂质浓度分布、晶格结构完整性、电参数及厚度均匀性、重复性等工艺流程.它所提供的外延片已成功地应用于3
【机 构】
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信息产业部电子第24研究所(重庆)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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