在TiO<,2>(100)面上生长Ni薄膜初期阶段的第一原理计算研究

来源 :中国真空学会第五届学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Erinhim
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在很多科学和技术中,金属/氧化物界面具有十分重要的地位。其中金属/TiO〈,2〉界面在多相催化、气敏、微电子和光电子等领域有着广泛的应用。至今,对Ni/TiO〈,2〉(100)界面已作了相当多的实验研究,包括功函数、光电子谱,LEED等。这些实验结果深化了人们对这一系统的性质的理解。虽然如此,但至今有很多问题尚不清楚,也未见这方面的理论计算研究的报导。例如,在第一Ni单层中,Ni原子的吸附位,Ni和衬底间键的性质和Ni-Ni键强度等等。
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