BESOI技术在双极工艺中的初步应用研究

来源 :第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:XUE19880204
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
其他文献
该文利用J积分方法对固体火箭发动机推进剂/衬层临界粘结断裂能进行了试验测定,分析了温度和拉伸速率对断裂能的影响,进而结合实验测定的材料logR曲线做出了材料的J主曲线。计算
他们用UHV/CVD系统生长了锗硅合金。外延层的组分由二次离子质谱和双晶衍射决定。他们发现生长速度随GE组分的增加而降低,B〈,2〉H〈,6〉对锗硅合金的生长有催化作用。二次离子测试表明,锗硅外
去年,因为中考失利(平时年级前三),我没有考上重点高中,好朋友A超常发挥考上了.rnA是个三观与我相合、特别好的女孩,但是她的家长对我的态度,在中考之前还行(可能因为我当时
期刊
会议