40nm超大规模集成电路电源网络IR Drop预估

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随着集成电路设计进入纳米阶段,电源网络对整个芯片的重要性日趋明显。传统使用Cadence公司流程的电源网络设计凭经验先估计电源网络金属的宽度和间距.然后通过Cadence公司的Encounter工具布上电源网络,再通过EPS工具进行IR drop分析,然后根据分析结果再返回Encounter修改电源层金属的宽度和间距。本文先通过算法来预估40hm工艺下的IR drop,从而指导在40nm工程背景下芯片电源网络的设计与规划,预先确定电源层金属的宽度和间距,减少迭代的次数,缩短设计周期。最后通过实验证明了该预估算法对电源网络设计的可指导性。
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