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本文针对Si衬底生长GaN特有的形貌采用SEM、EDS、AFM等手段进行了分析,研究了采用AlN作为缓冲层生长的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹和表面缺陷的形成有很大的影响.
采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN形貌的研究
【摘 要】
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本文针对Si衬底生长GaN特有的形貌采用SEM、EDS、AFM等手段进行了分析,研究了采用AlN作为缓冲层生长的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹和表面缺陷的形成有很大的影响.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2006年11期
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