【摘 要】
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采用中频溅射制备ZnO 薄膜可有效改善射频磁控溅射速率慢的缺点。对于多层薄膜的制备，对向靶的设计可使样品避开等离子体直接轰击，减少基底薄膜的损伤。本文采用这项技术沉积厚
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津300071
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采用中频溅射制备ZnO 薄膜可有效改善射频磁控溅射速率慢的缺点。对于多层薄膜的制备，对向靶的设计可使样品避开等离子体直接轰击，减少基底薄膜的损伤。本文采用这项技术沉积厚度约为50nm的ZnO 薄膜，通过调整工作压强、溅射功率、氧气氩气比，制备出结晶质量高，电阻率在102～103Ohm·cm 之间，可见光去透过率达到90％的ZnO 薄膜。将其应用到CIGS 太阳电池中，取得了10.5％的光电转换效率。
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