大直径InP单晶生长研究

来源 :第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qq2285387
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为100-142mm的大直径磷化铟单晶。本文讨论了关于避免孪晶产生的关键技术。
其他文献
采用MOCVD方法生长出非故意掺杂InGaN薄膜,在此外延层上制作Ni/Au金属接触。通过测量器件的I-V曲线发现存在明显的整流特性,表明Ni/Au和n-InGaN之间形成了Schottky接触。为了进一步确认Schottky接触的存在,对Ni/Au/n-InGaN/GaN结构的截面进行二次电子显微(SEM)图像、阴极荧光(CL)图像以及电子束感生电流(EBIC)图像的表征,发现Ni/Au/n-I
用X一射线衍射(XRD)测试研究了熔体外延(ME)生长的截止波长为11-12μm的InAs0.04Sb0.96的结构性质。研究了不同生长条件对InAs0.04Sb0.96外延层结晶质量的影响。结果表明,外延层的结晶质量与生长时的降温过程以及生长舟滑块的重量密切相关。采用60克重的滑块和0.5℃/分的降温速度获得了最佳的结晶质量。用傅里叶红外光谱仪测量了外延层的透射光谱,首次观察到重量不同的滑块下生
本文研究了用飞秒激光激发低温生长的砷化镓(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(THz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验发现七种天线的有效频谱宽度都达到了3THz,而且七种不同几何形状天线的THz发射谱与频率谱并没有太显著的差别。
采用经过改良的真空热蒸发法,在抛光玻璃衬底上制备出了掺铋的透明导电钢铋氧化物薄膜(IBO)。运用扫描电镜(SEM)及XMS对薄膜的形貌及其成分进行了分析及表征;通过紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪及四探针法对薄膜的光电性质进行了研究:并采用开尔文探针对IBO进行了功函数测试。结果表明IBO薄膜具有良好的表面形貌,较高的载流子迁移率;较高的功函数且其在可见光范围内的平均透光率超过82%。采用其作
稀土铕配合物具有高的光致发光效率,色纯度高等优点。本实验中,我们采用一种新型铕配合物作为红光染料来制备器件。我们将铕配合物掺入到母体材料CBP中作为发光层,并在起空穴阻挡作用的Bphen层中靠近发光层一侧掺杂同样的铕配合物染料,这样就可以充分利用扩散到空穴阻挡层中原本会经过无辐射跃迁而损失掉的激子,使器件的效率得到提高。在Bphen层中掺杂后的器件,其最大电流效率能达到4.0cd/A,比没有在Bp
本文使用国产SiC衬底,利用MOCVD技术外延GaN HEMT材料,采用注入隔离形式研制出高工作电压,高输出功率的AlGaN/GaN HEMT,选取典型数据利用ICCAP建立了器件的大信号模型。利用ADS软件仿真优化了GaN MMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1GHz~10.1GHz时连续波输出功率大于10w,最高输出功率大于11W,带内增益大于12dB
在过去的几十年间,在显示设备领域发生了许多变革,平板显示技术作为新型的显示技术不断向着高分辨率、低重量的方向发展。其中的一个发展方向就是微显示器件,它可以在硅基衬底上集成高密度的电子电路,正在引领便携式、高信息含量显示设备(如头盔式显示设备、3G手机等)的潮流。有机发光器件具有响应速度快、视角宽、自发光等优越的显示性能,将驱动电路和有机发光器件集成在同一个衬底上就能实现有机发光微显示器。实现硅基有
采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,以及与同样厚度SiN MIS结构对比分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响。使用高介电BST材料作为栅绝缘层可以改善器件的线性特性和跨导特性,提高器件栅的正向工作电压,并有效降低AlGaN/GaN HEMT器
本文设计并制作了一个宽带功率放大器,频率范围覆盖4-12GHZ。该放大器采用三级级联的形式,其中后两级采用自行设计、制作的宽带混合集成电路模块。该混合集成电路模块采用四指兰格耦合器的平衡放大器电路形式,以实现其宽带特性以及较大功率输出。整个功率放大器采用铝制腔体封装,在4-12GHZ频率范围内功率增益为30dB±3dB,输出功率在大于1W,部分频点处能达到5W以上。该功率放大器的驻波性能也较好,在
实验上研究了通过选择性湿法腐蚀方法制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电流限制孔径。对InP、InAlAs两种材料的侧向腐蚀试验表明,InAlAs的均匀性要优于InP,且考虑到长时间腐蚀中可能出现的塌陷问题,我们选择n++-InP/p++-InAlAs的侧向腐蚀隧道结结构。VCSEL结构由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜分布布拉格反射镜(DB