【摘 要】
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GaSb具有闪锌矿晶体结构,晶格常数为6.1(A),是直接带隙半导体材料.该材料是锑化物半导体的代表,具有低电阻率和高电子迁移率.GaSb及其他锑化物半导体近年来被广泛应用于超高速超低功率器件、微波单片集成电路、红外焦平面阵列探测、热光伏器件、中红外波段量子点激光器、量子级联激光器、共振隧穿二极管等领域.
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春市建设大街2699号 130012
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GaSb具有闪锌矿晶体结构,晶格常数为6.1(A),是直接带隙半导体材料.该材料是锑化物半导体的代表,具有低电阻率和高电子迁移率.GaSb及其他锑化物半导体近年来被广泛应用于超高速超低功率器件、微波单片集成电路、红外焦平面阵列探测、热光伏器件、中红外波段量子点激光器、量子级联激光器、共振隧穿二极管等领域.
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