3G/LTE应用高线性驱动放大器研制

来源 :2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：panjintao

【摘要】

：

采用21μm GaInP／GaHBT工艺研制了覆盖3G／LTE所有频段的高线性驱动放大器。放大器为1级有源偏置设计，部分输入输出匹配需要在外电路实现，芯片尺寸：0.77mm×0.8mm。在5V、130mA工作状态下，达到:Cain=13.6dB@2.6GHz，OIP3=44dBm@2.6GHz，输出功率1dB压缩点P1dB=25.5dBm@2.6GHz。

【作者】

：

应海涛冯爱华郑远唐文明王大方钱峰

【机构】

：

南京电子器件研究所,江苏南京,210016 中兴通讯有限公司,深圳,518001

【出处】

：

2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议

【发表日期】

：

2010年7期

【关键词】

：

HBT工艺 3G/LTE 高线性驱动放大器

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