高压器件的轻掺杂结终端设计

来源 :四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fencer_20
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本文对轻掺杂的600V结终端进行了分析与讨论。结果表明:轻掺杂的结终端在可以有效的降低表面峰值电场,可以有效地利用芯片表面面积,使用轻掺杂设计的结终端在相同的耐压条件下比习用的FLR结终端要节省约40%的芯片面积。
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