【摘 要】
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本文采用火焰水解法在Si衬底上淀积了用于光波导下包层材料的SiO膜,然后将其放入高温炉在空气中进行不同温度的退火处理.我们利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS),X射线衍射仪(XRD)及可变入射角椭圆偏振仪(VASE)对SiO膜进行了测试分析.当退火温度达到1400℃时,SiO膜致密均匀,适合用作波导的下包层.
【机 构】
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吉林大学集成光电子国家重点实验室(长春) 吉林大学文学院(长春)
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本文采用火焰水解法在Si衬底上淀积了用于光波导下包层材料的SiO<,2>膜,然后将其放入高温炉在空气中进行不同温度的退火处理.我们利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS),X射线衍射仪(XRD)及可变入射角椭圆偏振仪(VASE)对SiO<,2>膜进行了测试分析.当退火温度达到1400℃时,SiO<,2>膜致密均匀,适合用作波导的下包层.
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