基于超导电动力学中的极化子可控实现电磁感应透明

来源 :2016北京微电子研究生学术论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:RichieHDD
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  Electromagnetically induced transparency (EIT) has been extensively studied in various systems.However, it is not easy to observe in superconducting quantum circuits (SQCs), because the Rabi frequency of the strong controlling field corresponding to EIT is limited by the decay rates of the SQCs.
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晶圆键合技术是异质结构制造,3D集成,封装以及层转移(如SOI)中的关键技术,同时在MEMS当中也有重要地位。传统的晶圆键合方法如热压键合法,通常需要比较高的键合温度。但由于热膨胀系数不匹配和后续工艺的要求,键合温度不宜超过200摄氏度。为了促进MEMS键合工艺的发展和更多的应用,提出了一种使用旋涂水玻璃粘结剂层和点压键合技术的混合晶圆键合方法。研究了水玻璃键合的机理,并讨论了本键合方法中最重要的
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在空间辐射环境中,存在着大量的高能粒子,比如:质子,电子及重离子等。高能粒子会改变MOSFET中氧化层特性继而产生辐射效应,这些辐射效应将严重影响空间电子系统的可靠性。而面相空间应用的电子器件,它们的总剂量效应也是研究的重点。磁随机存储器MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory)是一种新型的非易失性存储器,相比于传统型存储器具有高速度、高集成度、低功
针对二进制偏移载波(Binary Offset Carrier,BOC)调制信号自相关多峰特性引起的信号捕获模糊性问题,提出了一种子相关相乘边峰消除技术。根据BOC子相关函数的特性,通过将不同子相关函数相乘获得边峰消除能力,并且为了充分利用接收信号,进一步提高捕获性能,提出了相应的优化算法。分析对比了提出算法的实现复杂度和基于恒虚警率准则的峰值发现概率,对GalileoE1C中频采样信号的处理结果
本文首次详细研究在介质隔离多栅纳米器件(FOI-FinFET)器件上源漏全金属化工艺.采用Ni (Pt)金属将源漏形成全金属化的fin,使器件接触电阻分别减小10倍和1倍,同时没有带来明显漏电流增加.通过采用全金属化源漏工艺,使20 nm栅长FOI FinFET器件电流增加大约30倍,N型和P型开态电流分别达到547 μA/μm和324 μA/μm.该器件比传统FinFET器件亚阈值摆幅、亚阈值斜
为增强高级辅助驾驶系统中对城市复杂路况的可驾驶道路检测性能,提出一种稳健的可驾驶道路检测算法。对彩色图像,先通过特征空间变换去除光照强度变化、阴影等因素的影响,提取图像的光照不变特征,在线建立道路模型并分类得到道路区域二值图,对道路区域二值图进行滤波处理得到道路的相似度分布;再将相似度分布和经验性道路空间先验分布相结合进行贝叶斯概率分析,获得可驾驶道路的感兴趣区域;最后,利用感兴趣区域内的深度信息
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