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硅基GaN外延层的调光电子能谱及二次离子质谱的研究
硅基GaN外延层的调光电子能谱及二次离子质谱的研究
来源 :第六届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jiqt001
【摘 要】
:
该文报导了在硅基上用真空反应的方法制备出了GaN外延层。利用ESCALAB表面分析仪和二次离子质谱仪对外延层的组成进行了表面分析(定量)和深度剖析(定性),发现外延层Ga和N组份分布
【作 者】
:
张昊翔
叶志镇
【机 构】
:
大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
:
第六届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
硅基
外延层
光电子能谱
表面分析仪
二次离子质谱仪
深度剖析
分布均匀
组份
组成
蒸发
真空
法制
定量
衬底
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该文报导了在硅基上用真空反应的方法制备出了GaN外延层。利用ESCALAB表面分析仪和二次离子质谱仪对外延层的组成进行了表面分析(定量)和深度剖析(定性),发现外延层Ga和N组份分布均匀,并存在少量由衬底扩散过来的硅及蒸发出来的SiO<,2>。
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