切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
会议论文
矿热炉转产快速开炉实践
矿热炉转产快速开炉实践
来源 :第八届全国硅系铁合金技术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gonewind
【摘 要】
:
本文主要介绍了无Y-△转换的6000KVA以下的矿热炉,采用快速开炉工艺,可取得开炉时间短,耗电少,开炉费用低,工人劳动强度小,炉内物料提温快的效果.
【作 者】
:
史建强
张丽琴
【机 构】
:
山西忻州铁合金有限责任公司
【出 处】
:
第八届全国硅系铁合金技术交流会
【发表日期】
:
2004年10期
【关键词】
:
矿热炉
快速开炉工艺
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文主要介绍了无Y-△转换的6000KVA以下的矿热炉,采用快速开炉工艺,可取得开炉时间短,耗电少,开炉费用低,工人劳动强度小,炉内物料提温快的效果.
其他文献
压控式RF MEMS开关阵列—相移器可动薄膜的研究
开关阵列—相移器是由21-32个隔膜式开关组成.薄膜弹性是开关发生动作的必要条件,本文研究压控式RF MEMS开关阵列—相移器的可动薄膜性能.
会议
毫米波相控阵天线
毫米波相移器
半导体薄膜
弹性系数
内蒙古乌海地区——中国明天的硅铁之都
本文主要介绍了内蒙乌海及周边地区硅铁行业的现状和前景,当地硅铁发展的优势,硅铁发展的建议等方面内容,扶持硅铁业稳步发展.
会议
硅铁业
内蒙乌海地区
Ge基单结太阳能电池的材料生长
本文研究GaAs/Ge太阳能单结电池在低压(MOCVD)化学气相淀积设备上生长的热力学工艺技术,同时分析了太阳能单结电池的基本结构.
会议
太阳能电池
晶体外延生长
工艺技术
热力学
GaAs抛光晶片亚表面损伤层结构分析
采用范德堡霍尔方法测量GaAs抛光晶片的电学性质(迁移率、电导率、载流子浓度),根据迁移率、电导率、载流子浓度随样品截面积减小(用化学腐蚀方法来减小)时的变化来检测损伤
会议
砷化镓晶片
抛光
损伤层
电学性质
自组织垂直堆垛InAs量子点材料的表征及HFET存储器件的应用
本文报道了垂直堆垛InAs量子点的生长,光学性质,异质结场效应晶体管(HFET)器件外延结构及大的阈值电压偏移所产生的存储效应等工作.
会议
自组织半导体量子点
异质结场效应晶体管
分子束外延
存储效应
用XPS研究不同方法处理的砷化镓表面
本文用X射线光电子能谱分析技术(XPS)研究了砷化镓晶片自然氧化层的化学组成和化学计量比,研究了氧化处理技术对砷化镓表面的影响.
会议
砷化镓
化合物半导体
X线光电子能谱
氧化层
降低GaAs抛光晶片亚表面损伤层的分析
作者分析了砷化镓抛光晶片亚表面损伤层引入的影响因素,重点讨论了不同弹性抛光布不同浓度抛光液进行GaAs晶片化学机械抛光试验,并用TEM测量晶片亚表面损伤层厚度.
会议
砷化镓
抛光
表面损伤层
电学性质
矿热炉炉型与短网结构形式的优化设计
矿热炉有多种结构形式,矿热炉短网也有多个布线方案.本文从分析短网布线方案与炉型结构的关系入手,试图找出它们之间的最佳组合.
会议
矿热炉
短网
布线方案
炉型结构
在直接隧道应力下2nm超薄氧化膜体缺陷的产生特性
随着ULSI集成度的迅速提高,MOS器件尺寸已进入0.1微米量级.按等比例缩小规则,栅氧化层厚度已小于4nm.在MOS器件的正常工作电压下,超薄氧化膜的电流传导机制已由直接隧道电流
会议
二氧化硅薄膜
隧道应力
晶体缺陷
MOS器件
浅谈硅铁生产提质降耗途径
提高硅铁产品质量、降低硅铁冶炼电耗的途径很多,各生产企业都做过不少有益探索.本文主要介绍了一般常用的提质降耗的方法及工作方向.
会议
硅铁生产
提质降耗
电炉
与本文相关的学术论文