损伤层相关论文
为提高酸腐片光泽度和实现稳定量产,通过优化硅单晶片加工流程,将双面研磨硅片进行旋转磨削加工,然后对该硅片进行酸性腐蚀;制备的......
太阳能硅片的表面损伤层，关系到切割后破片比例，绒面的形状，转换效率等。通过对硅片表面SEM分析，发现硅片表面呈蜂窝状，有大孔、小孔和......
本文通过采用X射线双晶衍射的方法,对经过研磨、抛光的InSb晶片进行检测,研究晶片表面损伤,得出损伤层的大致范围,并把实验结果运......
会议
对超光滑加工散粒研磨工序中采用的三级精磨法,进行了实验研究,通过改进差分化学刻蚀实验测出各级损伤层的厚度,利用损伤层厚度对......
采用范德堡霍尔方法测量GaAs抛光晶片的电学性质(迁移率、电导率、载流子浓度),根据迁移率、电导率、载流子浓度随样品截面积减小(......
单晶硅作为一种性能优良,价格低廉的红外光学材料被广泛应用于热成像系统、前视红外、移动传感器等高新技术领域。超精密切削因其......
ECC(Engineered Cementitious Composite)是高延性纤维混凝土的简称,由美国密歇根大学的Victor C.Li教授在20世纪90年代初提出,它......
Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注.介绍了......
注入量超过5E14atoms/cm2能在光阻表面造成一个无定形碳似的损伤层(硬壳)，这很难被湿法化学品溶解。在湿法去胶中，没有或轻微损伤的......
冻融、火灾、化学物质侵蚀等引起的混凝土表面损伤严重影响混凝土结构的耐久性,对其损伤层厚度的测量十分必要,超声检测技术是一种......
总结了在φ76mm砷化镓圆片上实现PHEMT亚微米工艺技术的研究.提出低应力介质膜、控制低损伤层提高PHEMT器件性能;运用统计过程控制......
该文用测量材料双晶回摆曲线的方法详细研究了外延HgCdTe（简称MCT）薄膜所用CdZnTe（简称CZT）衬底的表面结构情况。指出对CZT的切割、粗......
该文利用台阶仪、扫描电镜（ＳＥＭ）和Ｘ射线双晶衍射仪，研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面......
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该文叙述使用STM、SEM观察GaP晶片切割、研磨引入的损伤及磨片和抛光试验。所得结果为：切片损伤层约30.3um，磨片损伤层≤20um。也观......
背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺.晶圆被减薄后失去结构支撑,会因应力作用产生剧烈形变,翘曲度大幅提高.严重的翘曲......
用透射电镜、扫描电镜对ＧａＡｓ材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测。结果切片损伤层深度≤５０μｍ、双面研磨损伤层深度≤１５μｍ、机械化......
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用四点弯曲法测量了GaAs晶体断裂模数,其结果表明加工方法是影响GaAs晶体断裂模数测量值的重要因素.切割加工的GaAs晶体的断裂模数......
磨削工艺被广泛应用于大直径Si衬底的制备中,而由磨削带来的Si片表面损伤及形貌对后续加工有较大的影响。利用扫描电子显微镜、粗......
碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的研究至关重要。本文阐述了可用于表征碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的评价方法,简要介绍了各个测试方法的......
采用光学显微镜和光学轮廓仪分析了 InSb 晶片（111）A 面经特定腐蚀剂腐蚀后出现的两种特征腐蚀坑，并通过多次腐蚀试验观察了这两种腐......
磨、抛光过程的理论描述与实际操作是存在一定差距的,必须在实践的过程中根据具体情况进行经验的总结,提出可操作的方法、技巧,以......
The study on damaged layer is necessary for improving the machinability in micro-machining because the damaged layer aff......
基于等效介质概念，对含表面微裂纹构件的力学特性进行了分析，给出了损伤层的定义，建立了含表面微裂纹的梁结构的等效双材料组合梁模型......
金刚石切割线近年来迅猛发展,通过与传统砂浆切割工艺对比分析优缺点,详细介绍了新材料金刚石切割线的分类、特性、结构原理、切割......
研究了铌酸锂晶体在研磨过程中产生的表面损伤层。首先通过激光共聚焦显微镜观察了研磨后晶体的表面形貌,通过原子力显微镜测试了......
硅片的表面损伤层，关系到切割后破片率及面的形状等。通过对硅片表面分析，发现硅片表面呈蜂窝状，有大孔、小孔和微孔。硅片侧面边缘呈......
改变垂直压力、砂子的堆积密度、尖锐程度变量研究了其对太阳能硅片损伤层大小的影响,改变半导体材料带隙宽度的大小探讨了其对太......
安徽省建筑工程质量监督检测站吕列民等人根据多年来的工作实践，对混凝土损伤层厚度的检测方法进行了深入研究，提出了一种新的测试方......
采用激光刻槽的方法制备电池背面结构，用化学腐蚀的方法对槽区进行清槽和刻蚀损伤层处理。当激光刻槽工艺参数为I=7．4A，v=50mm／s，激光步......
研究了不同切割工艺对多线切割200 mm(8英寸)硅单晶几何参数的影响,并通过碱腐蚀对200 mm硅切片损伤层进行了分析。结果表明:切割......
提出一种间接测量损伤层厚度的方法，此方法具有较高的精度。...
通过探索温差电致冷元件的损伤层，提出“平均电导率”等概念。...
本文报道了用喇曼光谱方法研究了注钕硅单晶中损伤层的温度特性。用硅520cm~(-1)特征峰的相对强度,来唯象地描述注入损伤层的无序......
我国地域辽阔,北方地区每年都有相当长时间处于低温季节,尤其是西北寒旱区,许多地区低温天气持续多达56月。水工建筑物只有在冬季......
介绍了内圆切割、游离磨料线切割、固结金刚石线切割三种加工类型,提出了未来硬脆材料加工新的发展方向。......
根据粉煤灰混凝土在轴压荷载与硫酸盐耦合作用下的过渡区与损伤区的关系,提出了更加贴合实际工程状况的基于影响因子的混凝土损伤......
随着微电子工业迅猛发展，圆片直径越来越大，当150mm、200mm甚至300mm英寸圆片被减薄到150μm以下时，圆片翘曲和边缘损伤问题变得尤为......
硅单晶片是制作集成电路及分立器件的基础材料,随着集成电路不断向小线宽、低成本方向发展,对于硅单晶片的质量水平和成本控制提出......
硅单晶锭表面滚磨外形为晶锭加工的重要环节,本文以外圆磨削为例,分析了硅锭表面磨削加工的机理,并对滚磨加工后的硅锭表面应力进......
Ｐ〈１１１〉硅磨片表面损伤的研究刘峥翟富义张椿尤重远（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅片损伤层位错１引言自５０年代中期以来，一直进行着硅单......
采用双晶摆动曲线法测量了钽酸锂晶片的加工损伤层 ,其平均值在 2 6 .2～ 5 2 .8μm之间 ;根据工序要求 ,选取加工余量为 15 0 μm左......
