【摘 要】
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超薄栅介质的击穿问题是阻碍MOS器件进一步发展的主要原因之一.本文叙述了超薄栅氧化层击穿的几种主要测试方法和机理.利用磁控反应溅射的方法制备了高K(高介电常数)栅介质Hf
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
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超薄栅介质的击穿问题是阻碍MOS器件进一步发展的主要原因之一.本文叙述了超薄栅氧化层击穿的几种主要测试方法和机理.利用磁控反应溅射的方法制备了高K(高介电常数)栅介质HfO<,2>薄膜的MOS电容,并对电容的击穿特性进行了实验研究.本文分别利用在栅极加恒电压应力和恒电流应力的方法研究了HfO<,2>薄栅介质的击穿特性.实验结果表明超薄栅介质的击穿与传统厚栅介质不同,有很明显的软击穿现象发生.分析比较了软击穿和硬击穿的区别.利用统计分析模型对HfO<,2>薄栅介质的击穿特性进行了解释.
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