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纳米半导体硅（ｎｓ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备的，制备条件可以很好地进行调节控制，纳米硅薄膜由中组元组成，纳米尺度晶粒组元和晶料间的界面组元，即晶态相和晶界相组成，这对发展半导体器件，例如量子功能器件和薄膜敏感器件等是特别有价值的。
纳米半导体膜与纳米技术进展
【摘 要】
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纳米半导体硅（ｎｓ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备的，制备条件可以很好地进行调节控制，纳米硅薄膜由中组元组成，纳米尺度晶粒组元和晶料间的界面组元，即晶态相和晶界相组
【机 构】
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理工大学电子工程系
【出 处】
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全国薄膜学术讨论会
【发表日期】
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1999年期
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