【摘 要】
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随着GaAs器件、集成电路水平的不断提高,对材料的质量提出了越来越高的要求.在我们多年从事器件研究的过程中深感用来标称单晶质量的三大参数;电阻率、迁移率、位错密度已不足以全面评价材料性能,因其优劣与器件应用结果并不总能有明确的对应关系.针对以上情况本课题开展了半绝缘GaAs单晶性能对器件性能影响的实验研究,试图在材料和器件之间建立较为明确的对应关系.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所(河北省石家庄)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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随着GaAs器件、集成电路水平的不断提高,对材料的质量提出了越来越高的要求.在我们多年从事器件研究的过程中深感用来标称单晶质量的三大参数;电阻率、迁移率、位错密度已不足以全面评价材料性能,因其优劣与器件应用结果并不总能有明确的对应关系.针对以上情况本课题开展了半绝缘GaAs单晶性能对器件性能影响的实验研究,试图在材料和器件之间建立较为明确的对应关系.
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