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采用垂直布里奇曼法(VBM)生长出毛坯尺寸达Φ42mm×120mm ZnGeP2晶体。通过退火和辐照技术进一步改善了生长ZnGeP2晶体近红外区的吸收系数，获得了高光学均匀性的、低吸收损耗的ZnGeP2晶体。
高光学均匀性ZnGeP2晶体制备与光学参量振荡性能
【摘 要】
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采用垂直布里奇曼法(VBM)生长出毛坯尺寸达Φ42mm×120mm ZnGeP2晶体。通过退火和辐照技术进一步改善了生长ZnGeP2晶体近红外区的吸收系数，获得了高光学均匀性的、低吸收损耗的ZnGeP2晶体。
【机 构】
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华北光电技术研究所,北京 100015;固体激光技术重点实验室,北京 100015;北京雷生强式科技有限责任公司,北京 100015
【出 处】
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第二十二届全国激光学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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