ZnGeP2晶体相关论文
本论文对水平梯度冷凝法生长高品质ZnGeP2晶体进行了研究，为国内首次.使用自制的双温区机械震荡管式炉进行ZnGeP2多晶合成，单次合成......
采用垂直布里奇曼法(VBM)生长出毛坯尺寸达Φ42mm×120mm ZnGeP2晶体。通过退火和辐照技术进一步改善了生长ZnGeP2晶体近红外区的......
为了获得2.15～1 500μm的相干光源,研究了CO激光在高质量非线性晶体ZnGeP2和GaSe中的混频效应。为了提高转换效率,在激光锁模方式下......
ZnGeP2晶体具有非线性系数大和透光波段宽的特点,是目前重要的中红外频率转换介质材料。然而,点缺陷的存在却引起了ZnGeP2晶体的额......
为了获得2.15～1 500μm的相干光源,研究了CO激光在高质量非线性晶体ZnGeP2和GaSe中的混频效应.为了提高转换效率,在激光锁模方式下......
为利用差频技术获得窄带、低重复频率的THz脉冲输出，将双波长KTP—OPO作为泵浦源，ZnGeP2作为差频晶体时，在满足typeⅡ相位匹配条件下，......
为了获得2.15～1 500μm的相干光源,研究了CO激光在高质量非线性晶体ZnGeP2和GaSe中的混频效应。为了提高转换效率,在激光锁模方式下......
自20世纪60年代末非线性光学现象被发现以来,人们对红外非线性晶体的特性进行了广泛地研究,其中,对红外非线性晶体光学频率变换的......
为了设计4.3μm波段大功率窄线宽中红外激光器,开展了2.7μm激光抽运ZnGeP2晶体光参量振荡(Optical Parametric Oscillation,OPO)......
采用双温区法合成ZnGeP2多晶料;采用布里奇曼法生长ZnGeP2单晶,晶体尺寸为φ22×90 mm^2。晶体透光范围0.7-12.0μm,平均透过......
采用垂直布里奇曼方法生长了ZnGeP2单晶体,晶体毛坯尺寸达30 mm×120 mm。晶体在2.05μm吸收系数0.05cm-1,3-8μm吸收系数0.......
报道了一种新的ZnGeP2晶体择优腐蚀剂及其腐蚀工艺,即先采用研磨、物理机械抛光和HCl＋HNO3热化学抛光获得表面平整无划痕的ZnGeP2晶......
ZnGeP2晶体具有非线性系数大和透光波段宽的特点,是目前重要的中红外频率转换介质材料。然而,点缺陷的存在却引起了ZnGeP2晶体的额......
在高纯ZnGeP2多晶批量合成基础上,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸（40~50）mm×140 mm的高品质单晶。切割出多种6 mm×6 mm&#......
介绍了Tm:YAP脉冲激光器泵浦的中红外固体激光器。首先介绍了Tm脉冲激光器,由实验分析,对YAP固体激光器腔型结构进行优化,确定了适......
3-5μm波段的激光在民用和军用领域有着广泛的应用,该波段激光主要由固体激光泵浦的中远红外非线性光学晶体产生。ZnGeP2(ZGP)晶体......
黄铜矿类半导体晶体材料具有两个突出的优点:非线性光学系数大和中、远红外区透光波段宽,是目前最有吸引力的,具有重要应用背景的......
