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KDP晶体元件的损伤阈值是目前限制高功率激光装置输出能力的主要瓶颈之一。因此需要建立合适的手段检测其表面或体内是否存在引发损伤的关键缺陷。我们基于KDP材料表面缺陷的荧光杂质(缺陷)在紫外损伤辐照下的光致发光效应，设计并搭建了KDP晶体表面的光致发光成像系统，通过探测KDP晶体元件的散射和荧光成像检测KDP元件亚表面应缺陷成像的影响特性。